Notice: wp_woocommerce_session_992d978597bce8af5e36cb59daa0dc3e cookie cannot be set - headers already sent by /var/www/vhosts/sinon.tj/httpdocs/wp-includes/class.wp-scripts.php on line 401 in /var/www/vhosts/sinon.tj/httpdocs/wp-content/plugins/woocommerce/includes/wc-core-functions.php on line 892
KINGSTON 4GB ValueRAM KVR16R11D8
450 TJS- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1600 МГц
- поддержка ECC
- CAS Latency (CL): 11
2GB KINGSTON KVR13N9S6
170 TJS- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
4GB KINGSTON KVR13N9S8
390 TJS- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Kingston KVR16S11S8/4
350 TJS- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
Оперативная память 1 ГБ 1 шт. TwinMOS DDR2
120 TJS- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 1 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 5
Оперативная память 1 ГБ 1 шт. TwinMOS DDR2
130 TJS- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 1 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 5
Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Samsung DDR2 800
130 TJS- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 2 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 6
Оперативная память 512 МБ 1 шт. Hynix DDR2
70 TJS- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 512 МБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 667 МГц
Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Kingston KVR13S9S6/2
240 TJS- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
Оперативная память 4 ГБ 1 шт DDR3 1333 SO-DIMM 4
350 TJS- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9