Notice: wp_woocommerce_session_992d978597bce8af5e36cb59daa0dc3e cookie cannot be set - headers already sent by /var/www/vhosts/sinon.tj/httpdocs/wp-includes/class.wp-scripts.php on line 401 in /var/www/vhosts/sinon.tj/httpdocs/wp-content/plugins/woocommerce/includes/wc-core-functions.php on line 892
Материнская плата ASUS ROG STRIX B250H GAMING
1,760 TJS- материнская плата форм-фактора ATX
- сокет LGA1151
- чипсет Intel B250
- 4 слота DDR4 DIMM, 2133-2400 МГц
- поддержка CrossFire X
- разъемы SATA: 6 Гбит/с – 6
Материнская плата GIGABYTE Z390 M GAMING
1,750 TJS- материнская плата форм-фактора microATX
- сокет LGA1151 v2
- чипсет Intel Z390
- 4 слота DDR4 DIMM, 2133-4000 МГц
- поддержка CrossFire
- разъемы SATA: 6 Гбит/с – 6
Материнская плата GIGABYTE Z390 GAMING X
1,790 TJS- материнская плата форм-фактора ATX
- сокет LGA1151 v2
- чипсет Intel Z390
- 4 слота DDR4 DIMM, 2133-4000 МГц
- поддержка CrossFire
- разъемы SATA: 6 Гбит/с – 6
Видеокарта PNY Quadro K2200 PCI-E 2.0 4096Mb 128 bit DVI
3,350 TJS- видеокарта NVIDIA Quadro K2200
- профессиональная
- 4096 МБ видеопамяти GDDR5
- разъемы DVI, DisplayPort x2
- поддержка DirectX 12, OpenGL 4.5, Vulkan
- работа с 4 мониторами
KINGSTON 4GB ValueRAM KVR16R11D8
450 TJS- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1600 МГц
- поддержка ECC
- CAS Latency (CL): 11
2GB KINGSTON KVR13N9S6
170 TJS- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
4GB KINGSTON KVR13N9S8
390 TJS- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Kingston KVR16S11S8/4
350 TJS- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
Оперативная память 1 ГБ 1 шт. TwinMOS DDR2
120 TJS- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 1 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 5
Оперативная память 1 ГБ 1 шт. TwinMOS DDR2
130 TJS- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 1 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 5
Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Samsung DDR2 800
130 TJS- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 2 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 6
Оперативная память 512 МБ 1 шт. Hynix DDR2
70 TJS- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 512 МБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 667 МГц